| 申請者名 |
所属機関 |
前期課題名 |
後期課題名 |
割り当てポイント（システムB） |
割り当てポイント（システムC） |
| 押山 淳 |
東京大学大学院工学系研究科 |
第一原理電子構造計算とデバイス・プロセス・シミュレーション |
第一原理電子構造計算とデバイス・プロセス・シミュレーション |
25,000 |
12,500 |
| 信定 克幸 |
分子科学研究所理論・計算分子科学研究領域 |
ナノ光応答理論と光・電子機能デバイスの計算科学的設計 |
|
15,000 |
7,500 |
| 今田 正俊 |
東京大学大学院工学系研究科 |
界面における高温超伝導と非平衡超伝導の研究 |
非平衡状態における超伝導相関 |
25,000 |
10,000 |
| 赤井 久純 |
東京大学物性研究所 |
f電子系の第一原理計算手法開発 |
|
1,000 |
1,000 |
| 香山 正憲 |
産業技術総合研究所 |
第一原理フェーズ・フィールド・マッピング |
第一原理フェーズ・フィールド・マッピング |
25,000 |
12,500 |
| 杉野 修 |
東京大学物性研究所 |
エネルギーの変換・貯蔵 — 電気エネルギー |
第一原理フェーズ・フィールド・マッピング |
15,000 |
7,500 |
| 芝 隼人 |
東北大学金属材料研究所 |
液体材料物性の階層古典モデリングを用いたシミュレーション研究 |
複合電解質液体の流動、摩擦現象のメソダイナミクスの研究 |
10,000 |
5,000 |
| 吉見 一慶 |
東京大学物性研究所 |
2015年度ソフトウェア開発・高度化プロジェクト課題(HΦ、OpenMX)を活用した共同研究の推進 |
量子ドット系におけるスピン緩和率に関する解析 |
10,000 |
2,500 |
| 三澤 貴宏 |
東京大学物性研究所 |
多変数変分モンテカルロ法を用いた高温超伝導体界面の研究 |
多変数変分モンテカルロ法を用いた負のフント結合を持つ縮退二軌道模型の解析 |
10,000 |
5,000 |
| 重田 育照 |
筑波大学計算科学研究センター |
|
GaNの結晶成長過程の第一原理的解析 |
5,000 |
2,500 |
| 矢花 一浩 |
筑波大学計算科学研究センター |
|
ナノ界面高強度パルス光励起ダイナミクス |
5,000 |
2,500 |
| 川島 直輝 |
東京大学物性研究所 |
|
テンソルネットワーク法・量子モンテカルロ法による新しい量子相・量子臨界現象の探求 |
5,000 |
2,500 |
| 尾形 修司 |
名古屋大学大学院工学研究科 |
|
有機/無機界面の物性に関する計算 |
5,000 |
2,500 |
| 遠山 貴巳 |
東京理科大学理学部第一部 |
|
大型実験施設との連携 |
0 |
2,500 |
| 山下 晃一 |
東京大学大学院工学系研究科 |
|
有機系太陽電池における光電変換の基礎過程の研究と変換効率最適化にむけた大規模数値計算 |
5,000 |
2,500 |
| 岡崎 進 |
名古屋大学大学院工学研究科 |
|
エネルギーの変換・貯蔵 — 電気エネルギー：全電池シミュレータの基盤技術の開発研究 |
5,000 |
2,500 |
| 岡崎 圭一 |
分子科学研究所理論・計算物質科学研究部門 |
|
生体膜変形ダイナミクスのマルチスケール・シミュレーション |
1,500 |
0 |
| 藤田 貴敏 |
分子科学研究所 |
|
生体膜変形ダイナミクスのマルチスケール・シミュレーション |
1,000 |
0 |
| 福島 鉄也 |
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター |
|
オーダーN遮蔽KKRグリーン関数法を用いたスピントロニクス材料の探索 |
5,000 |
2,500 |
| 小口 多美夫 |
大阪大学産業科学研究所 |
|
ナトリウム二次電池に対する物質探索 |
10,000 |
5,000 |
| 武次 徹也 |
北海道大学大学院理学研究院 |
|
酸化物基板に担持された汎用元素クラスターの触媒活性 |
10,000 |
5,000 |
| 大場 史康 |
東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所 |
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第一原理計算に基づいたスクリーニングによる新規半導体の探索 |
10,000 |
0 |
| 中井 浩巳 |
早稲田大学理工学術院 |
|
ナトリウムイオン二次電池用電解液の量子分子動力学シミュレーション |
0 |
5,000 |
| 三宅 隆 |
産業技術総合研究所 |
|
第一原理計算に基づいた磁性材料の開発 |
5,400 |
0 |
| 山田 淳夫 |
東京大学大学院工学系研究科 |
|
高電圧ナトリウムイオン電池に向けた正極反応の基礎過程の解析 |
5,000 |
0 |
| 斎藤 晋 |
東京工業大学理学院 |
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B、C、Nを用いた電子デバイス新物質の設計研究 |
5,000 |
2,500 |
